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顯著減少紫外線缺陷的FBPI光纖

發布時間:2013-01-29 責任編輯:abbywang

【導讀】Polymicro FBPI光纖提供業界首個全景攝譜儀和傳感器分析,這款基于硅石的專有FBP光纖優化用于NIR衰減和抗紫外線曝曬,提升較寬光譜范圍的傳輸性能。


全球領先的全套互連產品供應商Molex公司宣布,其子公司Polymicro Technologies成功地開發了一款使用低氫氧基(low-OH)純硅石內芯的寬光譜光纖,該光纖具有顯著減少的紫外線(UV)缺陷和其它UV吸收中心點含量。Polymicro的專有FBPI光纖利用了標準光纖的優勢并減少其限制。基于硅石的寬帶FBPI光纖在大大增寬的光譜范圍具有改進的傳輸特性,提供一系列密度選擇,能夠制造50-600 μm內芯直徑光纖。

Polymicro Technologies業務發展經理Robert Dauphinais表示:“我們新的寬光譜FBPI光纖經優化用于全景攝譜儀和傳感器分析,創造了業界第一。FBFI光纖提供了出色的性能,并結合了耐輻射和耐曝曬性能,防止輻射和曝曬導致光纖性能退化并縮短產品壽命。”

圖題:低氫氧基(low-OH)純硅石內芯的寬光譜光纖
圖題:低氫氧基(low-OH)純硅石內芯的寬光譜光纖

在超過2100 nm的近紅外(NIR)波長區域,Polymicro FBPI光纖的衰減等同于具有低氫氧基硅石內芯和加氟覆層的標準NIR光纖,其抗曝曬性能可與具有高耐輻射性的標準UV優化高氫氧基光纖相媲美,并且具有低至200 nm的UV傳輸性能。

許多光譜應用需要在寬光譜范圍傳輸光線,并且具有最小焦比衰退的高性能光纖。與受限于傳輸光譜范圍的標準光纖不同,Polymicro FBPI光纖可以在較寬的波長范圍進行傳輸,在整個波長范圍具有相對的一致性。

Dauphinais補充道:“與現今市場上的任何其它光纖相比,FBPI光纖可以在較寬的波長范圍應對UV曝曬和NIR衰減,這在擴大光譜測量范圍和提高器件靈敏度方面具有顯著的優勢。”

FBPI寬帶光纖設計用于一系列高性能光譜應用,包括光纖測試、環境監控、氣相測量、精密外科和工業激光應用及高性能氣體或液體色譜法。

關于Molex Incorporated

除連接器外,Molex 還為眾多市場提供完整的互連解決方案,范圍涵蓋數據通信、電信、消費類電子產品、工業、汽車、醫療、軍事和照明。公司成立于1938年,在全球16個國家擁有40家生產工廠。
 

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